9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1FLJ-GS08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1FLJ-GS08参考价格为0.37000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1FLJ-GS08封装/规格：DIODE GP 600V 700MA DO219AB。您可以下载S1FLJ-GS08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1FLG-GS18带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-219AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-219AA（SMF），速度设计用于标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作10μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，该设备提供400V电压直流反向Vr Max，该设备具有700mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S1FLG-M-08是DIODE SW 400V DO-219AB，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-219A（SMF）中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备也可以用作DO-219AB包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电流平均整流Io为700mA，电容Vr F为4pF@4V，1MHz。
带有电路图的S1FLG-M-18，包括4pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@400V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作DO-219AB包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供1.8μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-219AB（SMF），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
