9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FESF16JT-E3/45,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FESF16JT-E3/45参考价格为2.17000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FESF16JT-E3/45封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC。您可以下载FESF16JT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FESF16JT是DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC,包括超快恢复整流器产品,它们设计用于管式包装,单位重量如数据表注释所示,适用于0.090478盎司,提供通孔等安装类型功能,包装盒设计用于to-220-2全包、隔离片以及通孔安装类型,该设备也可以用作ITO-220AC供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的快速恢复速度为200mA(Io),该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@600V,正向电压Vf Max If为1.5V@16A,直流反向电压Vr Max为600V,电流平均整流Io为16A,反向恢复时间trr为50ns,它的工作温度结范围为-65°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C,Vf正向电压为1.5 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为10 uA,If正向电流为16 A,最大浪涌电流为250 A,恢复时间为50 ns。
FESF16HTHE3/45是DIODE GEN PURP 500V 16A ITO220AC,包括1.5V@16A正向电压Vf Max。如果它们设计为在500V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于ITO-220AC的供应商设备包,其提供速度特性,如快速恢复=20mA(Io),反向恢复时间trr设计为在50ns内工作,该器件也可作为TO-220-2全封装、隔离接线片封装盒使用,其工作温度结范围为-65°C~150°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@500V,电流平均整流Io为16A。
FESF16JT/45,带有VISHAY制造的电路图。FESF16JT/45采用TO220F-2封装,是IC芯片的一部分。