9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM11-800-E3/96，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM11-800-E3/96参考价格$4.46000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM11-800-E3/96包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB。您可以下载BYM11-800-E3/96英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYM11-600HE3/96是DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIER系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004762盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SUPERCTIIER商标，该装置也可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.3V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为250ns。
BYM11-600HE3/97是DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB，包括600 V Vr反向电压，它们设计用于在1.3V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，该600V提供了1.3 V等Vf正向电压特性，单位重量设计用于0.004762盎司，该设备也可以用作DO-213AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=200mA（Io），该设备为SUPERECTIFIERR系列，该设备具有250ns的反向恢复时间trr，恢复时间为250ns，产品为快速恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
BYM11-800，带有VISHAY制造的电路图。BYM11-800采用DO-213AB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
