9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NHPV08S600G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NHPV08S600G参考价格为1.58000美元。onsemi NHPV08S600G包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2。您可以下载NHPV08S600G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NHPM220T3G带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-216AA封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如Powermite，Speed设计用于标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作500nA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.05V@2A，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
NHPM120T3G带有用户指南，其中包括1V@1A电压正向Vf最大值。如果设计为在200V电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了用于Powermite的供应商设备包，该设备提供速度功能，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在25ns内工作，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-216AA封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@200V，电流平均整流Io为1A。
带有电路图的NHPJ15S600G，包括15A电流平均整流Io，它们设计为在60μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如通孔，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，以及to-220-3全封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备在NHPV15S600系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为TO-220FP，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为3.2V@15A。
