9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NHPD660T4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NHPD660T4G价格参考1.60000美元。onsemi NHPD660T4G包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK。您可以下载NHPD660T4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NHPD660T4G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NHP220SFT3G带有引脚细节，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，其工作温度范围为-65 C至+175 C，提供SOD-123F等包装箱功能，安装类型设计用于表面安装，以及SOD-123FL供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供500nA@200V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.05V@2A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为500 mA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为50 ns。
NHP120SFT3G和用户指南，包括1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOD-123FL，提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为25ns，以及磁带和卷轴（TR）包装，该器件也可用作SOD-123F封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@200V，电流平均整流Io为1A。
NHP620MFDT3G，带有ON Semiconductor制造的电路图。是二极管、整流器阵列的一部分，并支持整流器PUF 3A 200V IN SO-8F、二极管阵列2独立标准200V 3A表面贴装8-PowerTDFN、二极管开关200V 3A汽车8引脚DFN EP T/R。
