9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM10-1000-E3/97，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM10-1000-E3/97参考价格为0.43000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM10-1000-E3/97包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB。您可以下载BYM10-1000-E3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM10-1000-E3/96是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如BYM10-1000-E3/97，单位重量设计为0.004762盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作SUPERECTIER商标名。此外，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），该器件为表面安装安装型，该器件具有DO-213AA供应商器件封装，配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A。
BYM10-1000/1，带用户指南，包括1.2V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-213AB中使用的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件也可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
BYM10-1000/46，带有VISHAY制造的电路图。是IC芯片的一部分。
