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BAY73_T50R带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）以及标准二极管类型，该器件也可以用作5nA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@200mA，该器件提供125V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有500mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1μs，电容Vr F为8pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
BAY73TR是DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35，包括1V@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在125V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-35中使用的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在1μs内工作，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件采用通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5nA@100V，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为8pF@0V，1MHz。
BAY73是二极管GEN PURP 125V 500MA DO35，包括8pF@0V、1MHz电容Vr F，它们设计用于500MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5nA@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装是散装的，该设备以1μs反向恢复时间trr提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装是DO-35，电压DC反向Vr Max为125V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
