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BAY71_T50R带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@35V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@20mA，该设备提供50V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有200mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
BAY71TR是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括1V@20mA电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在4ns内工作，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@35V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAY71是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括2pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@35V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为散装，设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@20mA。
