9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FESB16DT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FESB16DT-E3/45参考价格$1.81000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FESB16DT-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB。您可以下载FESB16DT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FESB16THE3/81是DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计为适用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@150V，正向电压Vf Max If为975mV@16A，直流反向电压Vr Max为150V，电流平均整流Io为16A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为175pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为0.975 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为16 A，最大浪涌电流为250A，恢复时间为35ns。
FESB16THE3/45是DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB，包括150 V Vr反向电压，它们设计为以975mV@16A正向电压Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于150V的直流反向电压Vr Max，其提供了0.975 V等正向电压特性，单位重量设计为在0.056438 oz下工作，以及to-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以35ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为250 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为16 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@150V，电流平均整流Io为16A，配置为单双阴极，电容Vr F为175pF@4V，1MHz。
FESB16DT，带有VISHAY制造的电路图。FESB16DT采用TO-263封装，是单级二极管、整流器的一部分。
