9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FESB16JT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FESB16JT-E3/45参考价格1.87000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FESB16JT-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB。您可以下载FESB16JT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FESB16HTHE3/81是DIODE GEN PURP 500V 16A TO263AB，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@500V，正向电压Vf Max If为1.5V@16A，直流反向电压Vr Max为500V，电流平均整流Io为16A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为145pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.5 V，Vr反向电压为500 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为16 A，最大浪涌电流为250A，恢复时间为50ns。
FESB16JT，带有VIS制造的用户指南。FESB16JT采用TO-263封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
FESB16JT-E3，带有VISHAY制造的电路图。是二极管、整流器-单体的一部分。
