9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的RGP30D，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。RGP30D价格参考0.70000美元。NTE Electronics，Inc RGP30D封装/规格：R-200V 3A FAST SW。您可以下载RGP30D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RGP30BL-E3/72是DIODE 3A 100V 150NS DO-201AD，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-201AD、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-201AD，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@100V，该器件提供1.3V@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
RGP30BLHE3/72是DIODE 3A 100V 150NS DO-201AD，包括1.3V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
RGP30BHE3/73是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在100V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-201AD，轴向包装盒，该设备也可以用作磁带盒（TB）包装。此外，反向恢复时间trr为150ns，该设备以SUPERECTIFIERR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.3V@3A。
