9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM10-600HE3/97，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM10-600HE3/97参考价格为0.13596美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM10-600HE3/97封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB。您可以下载BYM10-600HE3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM10-600HE3/96是DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004762盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SUPERECTFIER商标，该装置也可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A。
BYM10-600-E3/97是DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.1 V@1A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.1 V等正向电压特性，单位重量设计用于0.004762盎司，以及DO-213AB供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备为标准回收整流器产品，该设备具有胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为10μA@600V，平均整流电流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
BYM10-600-E3175，带有VISHAY制造的电路图。BYM10-600-E3175采用LL封装，是IC芯片的一部分。
