9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM10-800HE3/97，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM10-800HE3/97参考价格为0.13596美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM10-800HE3/97包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB。您可以下载BYM10-800HE3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM10-800-E3/96是DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BYM10-800-E3/97，单位重量设计为0.004762盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作SUPERECTIER商标名。此外，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），该器件为表面安装安装型，该器件具有DO-213AA供应商器件封装，配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压DC反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，其最大工作温度范围为+175°C；其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A。
BYM10-800-E3/97是DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.2V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的直流反向Vr Max，该800V提供1.2V正向电压功能，单位重量设计为0.004762盎司，以及DO-213AB供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该装置为标准回收整流器产品，该装置具有零件别名BYM10-800-E3/96，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@800V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
BYM10-800HE3/96是DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB，包括8pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，数据表说明中显示了用于1A的电流平均整流Io，该1A提供电流反向泄漏Vr特性，例如10μa@800V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作10 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，该器件提供30 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~175℃，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，产品为标准回收整流器，系列为SUPERECTFIERR，速度为标准回收＞500ns，＞200mA（Io），供应商设备包装为DO-213AB，商品名为SUPERCTIFIER，单位重量为0.004762盎司，Vf正向电压为1.2 V，电压DC反向Vr最大值为800V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，Vr反向电压为800V。
