9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM12-50HE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM12-50HE3_A/H参考价格为0.14152美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM12-50HE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB。您可以下载BYM12-50HE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM12-50-E3/96是DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BYM12-50-E3/97，单位重量设计为0.004762盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
BYM12-50-E3/97是DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB，包括50V Vr反向电压，它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，该50V提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计为0.004762盎司，以及DO-213AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，零件别名为BYM12-50-E3/96，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
BYM12-400HE3/97是DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB，包括14pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备也可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以50ns反向恢复时间trr提供，该设备具有串联的SUPERECTIFIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-213AB，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@1A。
BYM12-50，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。BYM12-50采用DO-213AB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
