9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH1CHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH1CHE3_A/H参考价格为0.12958美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH1CHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC。您可以下载UH1CHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH1C-E3/61T是DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计为在DO-214AC、SMA、，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@150V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为25 ns。
UH1CHE3/5AT是DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC，包括1.05V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在150V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为30ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@150V，电流平均整流Io为1A。
UH1CHE3/61T是DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-214AC，SMA包装盒，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A。
