9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH1PB-M3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH1PB-M3/84A参考价格为0.10229美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH1PB-M3/84A封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO220AA。您可以下载UH1PB-M3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH1DHE3_A/I，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，该器件提供1.05V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为17pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
UH1D-M3/5AT带用户指南，包括1.05V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为30ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为17pF@4V，1MHz。
UH1D-M3/61T，带电路图，包括17pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@150V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供30ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A。
