9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM11-600HE3/96，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM11-600HE3/96参考价格为0.14373美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM11-600HE3/96封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB。您可以下载BYM11-600HE3/96英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM11-600-E3/96是DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如BYM11-60-E3/97，单位重量设计为0.004762盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作SUPERECTIER商标名。此外，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），该器件为表面安装安装型，该器件具有DO-213AA供应商器件封装，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压DC反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为600V，Ir反向电流为5uA，If正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为250ns。
BYM11-600-E3/97是DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-213AB的供应商设备包，该DO-213AA提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，以及250ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
BYM11-600，带有VISHAY制造的电路图。BYM11-600采用DO-213AB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
