9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM11-50-E3/96，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM11-50-E3/96参考价格为0.12293美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM11-50-E3/96封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB。您可以下载BYM11-50-E3/96英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM11-400HE3/96是DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004762盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SUPERECTFIER商品名，该装置也可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒。此外，安装类型为表面安装，设备在DO-213AB供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为150ns。
BYM11-400HE3/97是DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB，包括400 V Vr反向电压，它们设计为以1.3V@1A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，该400V提供了1.3 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.004762盎司，以及DO-213AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供150ns反向恢复时间trr，该设备具有150ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μA@400V，电流平均整流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
BYM11-50，带有VISHAY制造的电路图。BYM11-50采用DO-213AB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
