9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM12-100-E3/97,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM12-100-E3/97参考价格为0.14866美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM12-100-E3/97封装/规格:DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB。您可以下载BYM12-100-E3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM12-100-E3/96是DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于超快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供零件别名功能,如BYM12-100E3/97,单位重量设计为0.004762盎司,除了SMD/SMT安装样式外,该器件还可以用作DO-213AB、MELF(玻璃)封装盒。此外,安装类型为表面安装,该设备在DO-213AB供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@100V,电压正向Vf Max If为1V@1A,电压直流反向Vr Max为100V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为50ns,电容Vr F为20pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-65°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vf正向电压为1 V,Vr反向电压为100 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1A,最大浪涌电流为30A,恢复时间为50ns。
BYM12-100,带有VISHAY制造的用户指南。BYM12-100采用DO-213AB封装,是二极管、整流器-单体的一部分。
BYM12-1000,带有VISHAY制造的电路图。BYM12-1000采用DO-213AB封装,是IC芯片的一部分。