9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM12-150-E3/97，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM12-150-E3/97参考价格为0.14866美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM12-150-E3/97封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB。您可以下载BYM12-150-E3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM12-150-E3/96是DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BYM12-150 E3/97，单位重量设计为0.004762盎司，除了SMD/SMT安装样式外，该器件还可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
BYM12-100HE3/97是DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB，包括1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-213AB的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
BYM12-150，带有VISHAY制造的电路图。BYM12-150采用LL41封装，是IC芯片的一部分。
