9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM12-300-E3/97，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM12-300-E3/97参考价格为0.14866美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM12-300-E3/97包装/规格：DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB。您可以下载BYM12-300-E3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM12-300-E3/96是DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BYM12-30-E3/97，单位重量设计为0.004762盎司，除了SMD/SMT安装样式外，该器件还可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@300V，电压正向Vf Max If为1.25V@1A，电压直流反向Vr Max为300V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为14pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，其最大工作温度范围为+175°C；其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为300 V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是1A，并且最大浪涌电流是30A，并且恢复时间是50ns。
BYM12-200HE3/96是DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计为0.004762盎司，以及DO-213AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
BYM12-200HE3/97是DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB，包括20pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置操作，数据表注释中显示了用于1A的电流平均整流Io，该1A提供电流反向泄漏Vr特性，如5μa@200V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，该器件提供30 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~175℃，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为50ns，反向恢复时间trr为50ns；系列为SUPERECTIFIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-213AB，单位重量为0.004762 oz，Vf正向电压为1 V，并且电压DC反向Vr Max为200V，并且电压正向Vf Max If为1V@1A，并且Vr反向电压为200V。
