9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM13-60HE3/97,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM13-60HE3/97参考价格为0.21813美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM13-60HE3/97封装/规格:DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB。您可以下载BYM13-60HE3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM13-60-E3/97是DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB,包括肖特基整流器产品,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装包装一起工作,零件别名如数据表注释所示,用于BYM13-60E3/96,提供单位重量功能,如0.004833盎司,安装样式设计为在SMD/SMT以及DO-213AB、MELF包装箱中工作,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备在DO-213AB供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为500μa@60V,电压正向Vf Max If为700mV@1A,电压反向Vr Max为60V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为80pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-55°C ~ 150°C,最大工作温度范围为+150°C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为0.7V,Ir反向电流为500uA,如果正向电流为1A,Vrm重复反向电压为60V,Ifsm正向浪涌电流为30A。
BYM13-60-E3/96是DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB,包括60V Vrm重复反向电压,它们设计为在700mV@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了60V中使用的电压直流反向Vr Max,该60V提供了0.7V等正向电压特性,单位重量设计为0.004833盎司,该设备也可以用作DO-213AB供应商设备包。此外,速度为快速恢复=20mA(Io),该器件采用肖特基整流器产品,该器件具有零件别名BYM13-60-E3/97,包装为Digi-ReelR替代包装,包装箱为DO-213AB,MELF,其工作温度结范围为-55°C~150°C,安装样式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,它的最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为500μA,Ifsm正向浪涌电流为30 A,Ifs正向电流为1 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为500μA@60V,电流平均整流Io为1A,配置为单一,电容Vr F为80pF@4V,1MHz。
BYM13-60HE3/96是二极管肖特基60V 1A DO213AB,包括80pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于单配置,电流平均整流Io如数据表注释所示,用于1A,提供电流反向泄漏Vr特性,如500μa@60V,二极管类型设计用于肖特基,以及1 a如果正向电流,该器件也可以用作30A Ifsm正向浪涌电流。此外,Ir反向电流为500 uA,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,安装类型为表面安装,安装方式为SMD/SMT,其工作温度结范围为-55°C~150°C,包装箱为DO-213AB,MELF,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,产品为肖特基整流器,速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包为DO-213AB,技术为Si,单位重量为0.004833 oz,Vf正向电压为0.7V,电压DC反向Vr Max为60V,电压正向Vf Max If为700mV@1A,Vrm重复反向电压为60V。