9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的U3C-E3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。U3C-E3/9AT参考价格为0.23546美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division U3C-E3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB。您可以下载U3C-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如U3C-E3/9AT价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
U3C-E3/57T是DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@150V，正向电压Vf Max If为900mV@3A，直流反向电压Vr Max为150V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为20ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.9 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为30 ns。
U3B-M3/9AT带用户指南，包括900mV@3A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为30ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为25pF@4V，1MHz。
U3C（3B092）和电路图U3C（3B 092）可在SSOP-8P封装中获得，是IC芯片的一部分。
