9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的U3C-E3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。U3C-E3/57T参考价格为0.23546美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division U3C-E3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB。您可以下载U3C-E3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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U3B-M3/57T，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-214AB、SMC包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如DO-214AA、（SMC），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为900mV@3A，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为25pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
U3B-M3/9AT带用户指南，包括900mV@3A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为30ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为25pF@4V，1MHz。
U3C（3B092）和电路图U3C（3B 092）可在SSOP-8P封装中获得，是IC芯片的一部分。
