9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FESB8AT-E3/81,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FESB8AT-E3/81参考价格为0.77790美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FESB8AT-E3/81封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB。您可以下载FESB8AT-E3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FESB16JT-E3/81是DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB,包括超快恢复整流器产品,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.056438盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB、,该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外,该配置为单双阴极,该设备的快速恢复速度为200mA(Io),该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@600V,正向电压Vf Max If为1.5V@16A,直流反向电压Vr Max为600V,电流平均整流Io为16A,反向恢复时间trr为50ns,电容Vr F为145pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为1.5 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为16 A,最大浪涌电流为250A,恢复时间为50ns。
FESB16JTHE3/81是DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB,包括600 V Vr反向电压,它们设计为在16A电压正向Vf Max下工作1.5V。如果数据表注释中显示了用于600V的电压直流反向Vr Max,该600V提供1.5 V正向电压特性,单位重量设计为在0.056438 oz下工作,以及to-263AB供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为50ns,该设备在50ns恢复时间内提供,该设备具有产品的超快恢复整流器,包装为磁带和卷轴(TR),包装箱为TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB,其工作温度结区范围为-65°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-65℃,最大浪涌电流为250 A,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为10 uA,If正向电流为16 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μA@600V,平均整流电流Io为16A,配置为单双阴极,电容Vr F为145pF@4V,1MHz。
FESB8AT,带有VIS制造的电路图。FESB8AT采用TO-263封装,是单级二极管、整流器的一部分。