9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FESB16AT-E3/81,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FESB16AT-E3/81参考价格$1.07126。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FESB16AT-E3/81封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB。您可以下载FESB16AT-E3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FESB16AT-E3/45是DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB,包括超快速恢复整流器产品,它们设计用于管交替包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.056438盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、to-263AB、,该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外,该配置为单双阴极,该设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@50V,正向电压Vf Max If为975mV@16A,直流反向电压Vr Max为50V,电流平均整流Io为16A,反向恢复时间trr为35ns,电容Vr F为175pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为0.975 V,Vr反向电压为50 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为16 A,最大浪涌电流为250A,恢复时间为35ns。
FES8JTHE3/45是DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC,包括600 V Vr反向电压,设计用于在1.5V@8A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max,提供1.5 V等正向电压特性,单位重量设计用于0.211644盎司,以及to-220AC供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为50ns,该设备以50ns恢复时间提供,该设备具有产品的超快恢复整流器,包装为管,包装箱为TO-220-2,其工作温度结范围为-55°C~150°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,它的最小工作温度范围为-55℃,最大浪涌电流为125 A,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为10 uA,If正向电流为8 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μA@600V,电流平均整流Io为8A,配置为单一。
FESB16AT,带有VIS制造的电路图。FESB16AT采用TO-263封装,是单级二极管、整流器的一部分。