9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FESB16BT-E3/81,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FESB16BT-E3/81参考价格$1.07126。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FESB16BT-E3/81封装/规格:DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB。您可以下载FESB16BT-E3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FESB16THE3/81是DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB,包括超快速恢复整流器产品,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装一起工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.056438盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于to-263-3、D2Pak(2引线+标签)、to-263AB、,该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外,该配置为单双阴极,该设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@50V,正向电压Vf Max If为975mV@16A,直流反向电压Vr Max为50V,电流平均整流Io为16A,反向恢复时间trr为35ns,电容Vr F为175pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为0.975 V,Vr反向电压为50 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为16 A,最大浪涌电流为250A,恢复时间为35ns。
FESB16BT-E3/45是DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB,包括100V Vr反向电压,它们设计为以975mV@16A正向电压Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于100V的直流反向电压Vr Max,其提供了0.975 V等Vf正向电压特性,单位重量设计为0.056438盎司,以及to-263AB供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为35ns,该设备以35ns恢复时间提供,该设备具有产品的超快恢复整流器,包装为管交替包装,包装箱为TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB,其工作温度结范围为-65°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-65 C,最大浪涌电流为250 A,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为16 A,二极管类型为标准,反向泄漏电流Vr为10μA@100V,平均整流电流Io为16A,配置为单双阴极,电容Vr F为175pF@4V,1MHz。
FESB16THE3/45是DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB,包括175pF@4V、1MHz电容Vr F,设计用于单双阴极配置,数据表中显示了用于16A的电流平均整流Io,该16A提供电流反向泄漏Vr特性,例如10μa@50V,二极管类型设计用于标准,以及16 a如果正向电流,该器件也可以用作10 uA Ir反向电流,其最大工作温度范围为+150℃,该器件提供250 A最大浪涌电流,其最小工作温度范围是-65℃,安装类型为表面安装,安装类型是SMD/SMT,其工作温度结区范围为-65℃~150℃,封装外壳为TO-263-3,D2Pak(2引线+标签),TO-263AB,包装为管交替包装,产品为超快恢复整流器,恢复时间为35ns,反向恢复时间trr为35ns;速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为TO-263AA,单位重量为0.056438oz,Vf正向电压为0.975V,电压DC反向Vr Max为50V,电压正向Vf Max If为975mV@16A,Vr反向电压为50V。