9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的31GF6-E3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。31GF6-E3/73参考价格为0.27456美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 31GF6-E3/73封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD。您可以下载31GF6-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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31GF6-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD,包括超快速恢复整流器产品,它们设计用于切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.038801盎司,提供安装类型功能,如通孔,包装箱设计用于DO-201AD,轴向,以及通孔安装类型,该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为20μa@600V,正向电压Vf Max If为1.6V@3A,直流反向电压Vr Max为600V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为30ns,其工作温度结范围为-40°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-40°C,Vf正向电压为1.6 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为20 uA,If正向电流为3 A,最大浪涌电流为90 A,恢复时间为30 ns。
31GF4-M3/73,带用户指南,包括1.25V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行,则DO-201AD中使用的数据表说明中显示了供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,反向恢复时间trr设计为30ns,除了磁带盒(TB)替代包装外,该器件还可以用作DO-201AD轴向包装盒,其工作温度结范围为-40°C~150°C,该器件采用通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为20μa@400V,电流平均整流Io为3A。
31GF6,带有VISHAY制造的电路图。31GF6在DO-201AD封装中提供,是二极管、整流器-单个的一部分。