9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的31GF6-M3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。31GF6-M3/54参考价格为0.31317美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 31GF6-M3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD。您可以下载31GF6-M3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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31GF6-E3/73是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.038801盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于DO-201AD、轴向、，以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为20μa@600V，正向电压Vf Max If为1.6V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压为1.6 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为90 A，恢复时间为30 ns。
31GF6-M3/54，带用户指南，包括1.6V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-201AD中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为30ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-201AD轴向包装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该设备为通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为20μa@600V，电流平均整流Io为3A。
31GF6-M3/73，带电路图，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在20μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-40°C~150°C，以及DO-201AD，轴向封装外壳，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-201AD，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.6V@3A。
31GF6L-5709E3/72，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
