9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的8EWF06STRL,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。8EWF06STRL参考价格为0.276美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 8EWF06STRL封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK。您可以下载8EWF06STRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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8EWF04STRR是DIODE GEN PURP 400V 8A DPAK,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于to-252-3、DPAK(2引线+接线片)、SC-63封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如D-PAK(to-252AA),速度设计用于快速恢复=20mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作100μA@200V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.2V@8A,该设备提供400V电压DC反向Vr Max,该设备具有8A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为140ns,其工作温度结范围为-40°C~150°C。
8EWF06STR是DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK,包括1.2V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于D-PAK(to-252AA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为140ns,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装盒,其工作温度结范围为-40°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为100μa@600V,电流平均整流Io为8A。
8EWF06S是二极管GEN PURP 600V 8A DPAK,包括8A电流平均整流Io,它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作100μa,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-40°C~150°C,以及to-252-3,DPak(2引线+接线片),SC-63包装盒,该设备也可以用作管包装。此外,反向恢复时间trr为140ns,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的D-Pak,电压DC反向Vr Max为600V,电压正向Vf Max If为1.2V@8A。