9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的8EWS12S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。8EWS12S参考价格为0.424美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 8EWS12S封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK。您可以下载8EWS12S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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8EWS10STRL是DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，安装类型如数据表说明所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如D-PAK（to-252AA），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作50μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@8A，该设备提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有8A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
8EWS08STRR是DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK，包括1.1V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。包装设计为在磁带和卷轴（TR）以及to-252-3中工作，DPak（2引线+接线片），SC-63封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有50μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为8A。
8EWS10S是DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63包装箱，该设备也可以用作管包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@8A。
