9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FES16GT/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FES16GT/45参考价格$2.516。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FES16GT/45封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 16A TO220AC。您可以下载FES16GT/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FES16FTR是DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AC，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于to-220-2封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-220AC，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@300V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.3V@8A，该器件提供300V电压DC反向Vr Max，该器件具有16A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为170pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
FES16GT是DIODE GEN PURP 400V 16A TO220AC，包括1.3V@8A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在50ns内运行，该器件也可用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电流平均整流Io为16A，电容Vr F为170pF@4V，1MHz。
FES16FTHE3/45是DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AC，包括16A电流平均整流Io，它们设计为在300V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及TO-220-2包装盒，该设备也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220AC，电压DC反向Vr Max为300V，电压正向Vf Max If为1.3V@16A。
