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IDH05G65C5是二极管肖特基650V 5A TO220-2，包括thinQ！？系列，它们设计用于管式包装，零件别名显示在IDH05G65C5XK IDH05G65 C5XKSA1 SP000925200中使用的数据表注释中，该设备提供单位重量功能，例如0.211644盎司，安装类型设计用于通孔，以及to-220-2包装盒，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为PG-TO220-2，该设备的无恢复时间>500mA（Io）速度，该设备具有二极管型碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为170μa@650V，电压正向Vf Max If为1.7V@5A，电压直流反向Vr Max为650V，电流平均整流Io为5A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为160pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C。
IDH05G65C5XKSA1是肖特基二极管和整流器SIC二极管，包括650 V Vrm重复反向电压，它们设计为在650 V Vr反向电压下工作，Vf正向电压显示在数据表注释中，用于1.5 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，技术设计用于SIC，以及IDH05G65系列，该器件也可以用作肖特基碳化硅二极管产品。此外，Pd功耗为55 W，该器件采用IDH05G65C5 IDH05G65 C5XK SP000925200零件别名，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-2，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为90 uA，并且Ifsm正向浪涌电流是46A，并且如果正向电流是5A，并且配置是单一的。
IDH05S120是肖特基二极管和整流器SIC DIODEN，包括单一配置，它们设计为在5 a的情况下工作。如果正向电流，Ifsm正向浪涌电流如数据表注释所示，用于29 a，提供Ir反向电流功能，如1000 uA，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为TO-220-2，该设备采用管式包装，该设备具有零件别名IDH05S120AKSA1 IDH05S1120XK SP000293029，产品为肖特基碳化硅二极管，系列为IDH05S120，技术为SiC，单位重量为0.211644盎司，Vf正向电压为3 V，Vrm重复反向电压为1200 V。
