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IDH12SG60C是二极管肖特基600V 12A TO220-2,包括thinQ!?系列,它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品,包装如数据表注释所示,用于管中,该管提供零件别名功能,如IDH12SG60CXK IDH12SG6 0CXKSA1 SP000523738,单位重量设计为0.211644盎司,以及通孔安装样式,该设备也可用作to-220-2包装盒。此外,该技术为SiC,该器件为通孔安装型,该器件具有供应商器件封装的PG-TO220-2,且配置为单一,速度为无恢复时间>500mA(Io),二极管类型为碳化硅肖特基,电流反向泄漏Vr为100μa@600V,电压正向Vf Max If为2.1V@12A,电压DC反向Vr Max为600V,电流平均整流Io为12A(DC),反向恢复时间trr为0ns,电容Vr F为310pF@1V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为2.1 V,并且Ir反向电流为100uA,并且如果正向电流为12A,并且Vrm重复反向电压为600V,并且Ifsm正向浪涌电流为59A。
IDH15S120是二极管肖特基1200V 15A TO220-2,包括1200 V Vrm重复反向电压,设计用于1.8 V Vf正向电压,单位重量显示在数据表注释中,用于0.211644盎司,提供SiC等技术特性,该系列设计用于IDH15S110,以及肖特基碳化硅二极管产品,该设备也可以用作IDH15S120AKSA1 IDH15S1120XK SP000293028部件别名。此外,包装为管式,装置采用TO-220-2包装盒,装置具有安装式通孔,最低工作温度范围为-55℃,最高工作温度范围+175℃,Ir反向电流为360 uA,Ifsm正向浪涌电流为78 a,如果正向电流为15 a,则配置为单一。
IDH12SG60CXKSA1是肖特基二极管和整流器SIC DIODEN,包括TO-220-2封装盒,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于提供XDH12SG60等系列功能的IDH12SG00CXK SP000523738。