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IDH04G65C5是二极管肖特基650V 4A TO220-2,包括thinQ!?系列,它们设计用于管式包装,零件别名显示在IDH04G65C5XK IDH04G65 C5XKSA1 SP000925198中使用的数据表注释中,该产品提供单位重量功能,例如0.211644盎司,安装类型设计用于通孔,以及to-220-2包装盒,该设备也可以用作通孔安装类型。此外,供应商设备包为PG-TO220-2,该设备的无恢复时间>500mA(Io)速度,该设备具有二极管型碳化硅肖特基,电流反向泄漏Vr为140μa@650V,电压正向Vf Max If为1.7V@4A,电压直流反向Vr Max为650V,电流平均整流Io为4A(DC),反向恢复时间trr为0ns,电容Vr F为130pF@1V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~175°C。
IDH04S60C是肖特基二极管和整流器SIC DIODEN,包括600 V Vrm重复反向电压,它们设计为在1.7 V Vf正向电压下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.211644盎司,提供SIC等技术特性,该系列设计用于IDH04S6,以及肖特基碳化硅二极管产品,该器件也可以用作42W Pd功率耗散。此外,零件别名为IDH04S60CAKSA1 IDH04S160CXK SP000657976,该设备采用管式封装,该设备具有TO-220-2封装外壳,安装类型为通孔,其最低工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+175 C,Ir反向电流为500 uA,如果正向电流为4 a,并且配置是单一的。
IDH04G65C5XKSA1是肖特基二极管和整流器SIC二极管,包括4 A Ifsm正向电流,设计用于38 A Ifsm正向浪涌电流,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,安装方式设计用于通孔,以及to-220-2封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,零件别名为IDH04G65C5 IDH04G65 C5XK SP000925198,该器件提供48 W Pd功耗,该器件具有肖特基碳化硅二极管产品,系列为IDH04G 65,技术为SiC,单位重量为0.211644盎司,Vrm重复反向电压为650 V。