9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FES8BTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FES8BTHE3/45参考价格为11.582美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FES8BTHE3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC。您可以下载FES8BTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FES8BT-E3/45是DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为950mV@8A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为35 ns。
FES8ATHE3/45是DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC，包括50 V Vr反向电压，它们设计为以950mV@8A正向电压Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于50V的直流反向电压Vr Max，提供0.95 V等正向电压特性，单位重量设计为0.211644盎司，以及to-220AC供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以35ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管，包装箱为TO-220-2，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为8A，配置为单一。
FES8BT带有GS制造的电路图。FES8BT提供TO-220封装，是二极管、整流器-单个的一部分。
