9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FES8JTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FES8JTHE3/45参考价格$3.816。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FES8JTHE3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC。您可以下载FES8JTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FES8JT-E3/45是DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf Max If为1.5V@8A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.5 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为50 ns。
FES8JT/45是DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC，包括1.5V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns的速度特性，该器件也可用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为8A。
FES8JT带有GS制造的电路图。FES8JT是TO-220封装的一部分，是二极管、整流器-单体的一部分。
