9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GUR5H60HE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GUR5H60HE3/45参考价格$1.258。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GUR5H60HE3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC。您可以下载GUR5H60HE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GUR5H60-E3/45是DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为20μa@600V，正向电压Vf Max If为1.8V@5A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.8 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为5 A，最大浪涌电流为90 A，恢复时间为30 ns。
GUR460-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD，包括1.28V@4A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-201AD中使用的供应商设备包如数据表注释所示，提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为60ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-201AD轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为4A。
GUR460-E3/73是DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD，包括4A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型特征，如通孔，封装盒设计用于DO-201AD、轴向以及磁带盒（TB）封装，该装置也可用作60ns反向恢复时间trr。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有600V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.28V@4A。
