9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GURF5H60-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GURF5H60-E3/45参考价格为0.524美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GURF5H60-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 5A ITO220AC。您可以下载GURF5H60-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GURB5H60HE3/81是DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为20μa@600V，正向电压Vf Max If为1.8V@5A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.8 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为5 A，最大浪涌电流为90 A，恢复时间为30 ns。
GURB5H60HE3/45是DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.8V@5A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，该600V提供1.8 V正向电压特性，单位重量设计用于0.056438盎司，以及to-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在30ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为90 A，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为20 uA，如果正向电流为5 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为20μA@600V，平均整流电流Io为5A，并且配置是单一的。
GURB5H60-E3/81是DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB，包括单一配置，它们设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于20μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于5A，以及20μa Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，最大浪涌电流为90 A，最小工作温度范围是-55℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-55℃~150℃，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为磁带和卷轴（TR），产品为超快恢复整流器，恢复时间为30ns，反向恢复时间trr为30ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，单位重量为0.056438oz，Vf正向电压为1.8V，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.8V@5A，Vr反向电压为600V。
