9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH1B-E3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH1B-E3/5AT参考价格为5.286美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH1B-E3/5AT封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC。您可以下载UH1B-E3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH10FT-E3/4W是DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@300V，电压正向Vf Max If为1.2V@10A，电压直流反向Vr Max为300V，电流平均整流Io为10A，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为300 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为10 A，最大浪涌电流为180 A，恢复时间为35 ns。
UH10JT-E3/4W是DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC，包括600 V Vr反向电压，它们设计用于在600V电压DC反向Vr Max下运行，Vf正向电压如数据表注释所示，用于1.75 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，供应商设备包设计用于to-220AC，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作25ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为500 ns，该设备为超快恢复整流器产品，该设备具有一个包装管，包装箱为TO-220-2，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，最大浪涌电流为100 a，二极管类型为标准，电流平均整流Io为10A。
UH104带电路图，尺寸为6.1英寸x 4.45英寸x 2.79英寸，设计用于USB接口类型，数据表备注中显示了480 Mbit/s使用的最大数据速率，最大工作温度范围为+80℃，最小工作温度范围-40℃，以及4个通道端口数，该设备也可以用作集线器产品。此外，类型为USB集线器。
