9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAY80-TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAY80-TR价格参考3.912美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAY80-TR封装/规格:DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35。您可以下载BAY80-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAY80-TAP是DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计为与磁带盒(TB)替代包装一起使用,包装箱如数据表注释所示,用于DO-204AH、DO-35、轴向,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备包设计用于DO-35,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为100nA@120V,该器件提供1.07V@150mA电压正向Vf Max。如果,该器件具有120V电压反向Vr Max,电流平均整流Io为250mA(DC),反向恢复时间trr为50ns,电容Vr F为5pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为175°C(Max)。
BAY73TR是DIODE GEN PURP 125V 500MA DO35,包括1V@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在125V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DO-35中使用的供应商设备包,该DO-35提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为在1μs内工作,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装盒,其工作温度结范围为175°C(最大值),该器件采用通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5nA@100V,电流平均整流Io为500mA,电容Vr F为8pF@0V,1MHz。
BAY80是DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35,包括6pF@0V、1MHz电容Vr F,设计用于200MA电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于100nA@120V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,它的工作温度结范围为175°C(最大值),该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外,包装为散装,设备提供60ns反向恢复时间trr,设备具有小信号=速度,供应商设备包装为DO-35,电压DC反向Vr Max为150V,电压正向Vf Max If为1V@150mA。