9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FESE16DT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FESE16DT-E3/45参考价格$1.926。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FESE16DT-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AC。您可以下载FESE16DT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FESD05P30ZL带有引脚细节，包括齐纳型，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001072盎司，提供SMD/SMT等终端类型功能，包装箱设计用于SOD-882，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，应用是通用的，该设备提供1信道数信道，该设备具有供应商设备包SOD-882，单向信道为1，电压反向间隔Typ为5.5V（最大值），电压击穿最小值为6.2V，电压钳位最大值Ipp为8.8V（典型值），电流峰值脉冲10 1000μs为5A，电源线保护为否，电容频率为31pF@1MHz，Pd功耗为50W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，击穿电压为6.2 V，钳位电压为8.8 V，Cd二极管电容为31 pF，工作电压为5.5 V，极性为单向，且Ipp峰值脉冲电流为5A，且Vesd电压ESD触点为30kV，且Vesd电压ESD气隙为30kV且工作电源电压为5.5V。
FESB8JTHE3/81是DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.5V@8A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.5 V等正向电压特性，单位重量设计用于0.056438盎司，以及to-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备在50ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）、TO-263AB，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为10μA@600V，平均整流电流Io为8A，并且配置为单双阴极。
FESB8JTHE3/45是DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB，包括单双阴极配置，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于8 a，以及10 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，最大浪涌电流为125 A，最小工作温度范围是-55℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-55℃~150℃，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为管交替包装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为50ns，反向恢复时间trr为50ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，单位重量为0.056438oz，Vf正向电压为1.5V，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.5V@8A，Vr反向电压为600V。
