9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FESE16GT-E3/45,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FESE16GT-E3/45参考价格$0.298。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FESE16GT-E3/45包装/规格:DIODE GEN PURP 400V 16A TO220AC。您可以下载FESE16GT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FESD05P30ZL带有引脚细节,包括齐纳型,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.001072盎司,提供SMD/SMT等终端类型功能,包装箱设计用于SOD-882,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该装置也可以用作表面安装型。此外,应用是通用的,该设备提供1信道数信道,该设备具有供应商设备包SOD-882,单向信道为1,电压反向间隔Typ为5.5V(最大值),电压击穿最小值为6.2V,电压钳位最大值Ipp为8.8V(典型值),电流峰值脉冲10 1000μs为5A,电源线保护为否,电容频率为31pF@1MHz,Pd功耗为50W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,击穿电压为6.2 V,钳位电压为8.8 V,Cd二极管电容为31 pF,工作电压为5.5 V,极性为单向,且Ipp峰值脉冲电流为5A,且Vesd电压ESD触点为30kV,且Vesd电压ESD气隙为30kV且工作电源电压为5.5V。
FESE16DT-E3/45是DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AC,包括200 V Vr反向电压,它们设计为在16A正向电压Vf Max下以975mV的电压运行。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向电压Vr Max,其提供了0.975 V的正向电压特性,单位重量设计为0.211644盎司,以及to-220AC供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为35ns,该设备以35ns恢复时间提供,该设备具有产品的超快恢复整流器,包装为管,包装箱为TO-220-2,其工作温度结范围为-65°C~150°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,它的最小工作温度范围为-65℃,最大浪涌电流为250 A,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为16 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μA@200V,电流平均整流Io为16A,配置为单一,电容Vr F为175pF@4V,1MHz。
FESE16FT-E3/45是DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AC,包括175pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计为使用单一配置运行,数据表注释中显示了用于16A的电流平均整流Io,该16A提供电流反向泄漏Vr特性,例如10μa@300V,该设备也可作为10 uA Ir反向电流使用,其最大工作温度范围为+150℃,该设备提供250 A最大浪涌电流,其最小工作温度范围是-65℃,安装类型为通孔,安装类型是通孔,其工作温度结范围为-65℃~150℃,包装箱为TO-220-2,包装为管,产品为超快恢复整流器,恢复时间为50ns,反向恢复时间trr为50ns;速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为TO-220AC,单位重量为0.211644 oz,Vf正向电压为1.3V,电压DC反向Vr Max为300V,电压正向Vf Max If为1.3V@16A,Vr反向电压为300V。