9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH1C-E3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH1C-E3/61T参考价格为3.594美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH1C-E3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC。您可以下载UH1C-E3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH1C-E3/5AT是DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于DO-214AC、SMA、，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@150V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为25 ns。
UH1BHE3_A/H带用户指南，包括1.05V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为17pF@4V，1MHz。
带电路图的UH1BHE3_A/I，包括17pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μA@100V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供25ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为1.05V@1A。
