9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FES16FT,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。FES16FT参考价格为0.442美元。onsemi FES16FT包装/规格:DIODE GEN PURP 300V 16A TO220AC。您可以下载FES16FT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FES16DTHE3/45是DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AC,包括超快速恢复整流器产品,它们设计用于管式包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.211644盎司,提供安装类型功能,如通孔,包装箱设计用于to-220-2,以及通孔安装类型,该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@200V,电压正向Vf Max If为975mV@16A,电压直流反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为16A,反向恢复时间trr为35ns,它的工作温度结范围为-65°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C,Vf正向电压为0.975 V,Vr反向电压为200 V,Ir反向电流为10 uA,If正向电流为16 A,最大浪涌电流为250 A,恢复时间为35 ns。
FES16DTR是DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AC,包括950mV@8A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为35ns,该器件也可用作TO-220-2封装盒,其工作温度结范围为-65°C~150°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@200V,电流平均整流Io为16A,电容Vr F为170pF@4V,1MHz。
FES16DT-E3/45是DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AC,包括16A电流平均整流Io,它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作10μa,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如通孔,其工作温度结范围为-65°C~150°C,以及TO-220-2包装盒,该设备也可以用作管包装。此外,反向恢复时间trr为35ns,该设备以快速恢复=200mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的TO-220AC,电压DC反向Vr Max为200V,电压正向Vf Max If为975mV@16A。