9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NHPV15S600G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NHPV15S600G参考价格为0.94000美元。onsemi NHPV15S600G包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2。您可以下载NHPV15S600G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NHPV08S600G是DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2，包括NHPV08S500系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.063493盎司，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-55℃至+150℃，该装置也可用作TO-220-2包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-220-2供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为30μa@600V，正向电压Vf Max If为3.2V@8A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为50ns，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为3.2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为30 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为80 A，恢复时间为30ns。
NHPM220T3G带有用户指南，其中包括1.05V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于Powermite的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在50ns内工作，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-216AA封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@200V，电流平均整流Io为2A。
带有电路图的NHPM120T3G，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，以及DO-216AA封装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为25ns，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的Powermite，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@1A。
