9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH1DHE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH1DHE3_A/I价格参考0.692美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH1DHE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载UH1DHE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH1D-E3/61T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于DO-214AC、SMA、，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为25 ns。
UH1CHE3_A/I带用户指南，包括1.05V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AC（SMA），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@150V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为17pF@4V，1MHz。
UH1D-E3/5AT是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-214AC，SMA包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.05V@1A。
