9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NSF8GT-E3/45,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。NSF8GT-E3/45参考价格$3.038。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NSF8GT-E3/45包装/规格:DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC。您可以下载NSF8GT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSF8DT-E3/45是DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC,包括标准回收整流器产品,它们设计用于管式包装,单位重量如数据表注释所示,适用于0.090478盎司,提供通孔等安装类型功能,包装箱设计用于to-220-2全包、隔离片以及通孔安装类型,该设备也可以用作ITO-220AC供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@200V,电压正向Vf Max If为1.1V@8A,电压直流反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为8A,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为200 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为8 A,最大浪涌电流为125 A。
带有用户指南的NSF8DTHE3_A/P,包括1.1V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了ITO-220AC中使用的供应商设备包,其提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io)。包装设计为在管中工作,以及to-220-2绝缘、to-220AC包装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外,安装类型为通孔,该器件为标准二极管类型,该器件具有10μa@200V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为8A,电容Vr F为55pF@4V,1MHz。
NSF8DTHE3/45是DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC,包括8A电流平均整流Io,它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作10μa,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如通孔,其工作温度结范围为-55°C~150°C,以及to-220-2全封装,隔离标签包装盒,该设备也可以用作管包装。此外,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),该设备在ITO-220AC供应商设备包中提供,该设备具有200V直流反向电压Vr Max,正向电压Vf Max If为1.1V@8A。