9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NSF8GTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSF8GTHE3/45参考价格为1.634美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NSF8GTHE3/45包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC。您可以下载NSF8GTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSF8GT-E3/45是DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC，包括标准回收整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.090478盎司，提供通孔等安装类型功能，包装箱设计用于to-220-2全包、隔离片以及通孔安装类型，该设备也可以用作ITO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为8A，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A。
带有用户指南的NSF8DTHE3_A/P，包括1.1V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了ITO-220AC中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。包装设计为在管中工作，以及to-220-2绝缘、to-220AC包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz。
NSF8DTHE3/45是DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-220-2全封装，隔离标签包装盒，该设备也可以用作管包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在ITO-220AC供应商设备包中提供，该设备具有200V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@8A。
