9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NSF8MTHE3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSF8MTHE3/45参考价格为0.334美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NSF8MTHE3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC。您可以下载NSF8MTHE3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSF8MT-E3/45是DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC，包括管式封装，设计用于to-220-2全封装、隔离凸片封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如ITO-220AC，速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作10μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@8A，该设备提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有8A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C~150°C，正向电压为1.1V，反向电压为1000V，正向电流为8A。
带有用户指南的NSF8KTHE3_A/P，包括1.1V@8A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于ITO-220AC的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及管包装，该器件也可以用作TO-220-2绝缘、TO-220AC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz。
NSF8KTHE3/45是DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-220-2全封装，隔离标签包装盒，该设备也可以用作管包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在ITO-220AC供应商设备包中提供，该设备具有800V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@8A。
